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CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器使用方法

更新時(shí)間:2024-06-12點(diǎn)擊次數(shù):3155
  半導(dǎo)體制造技術(shù)作為信息時(shí)代制造的基礎(chǔ),堪比工業(yè)時(shí)代的機(jī)床,是整個(gè)社會(huì)發(fā)展的基石和原動(dòng)力。在產(chǎn)業(yè)分工格局重塑的關(guān)鍵時(shí)期,我國(guó)也提出了《中國(guó)制造2025》,以通過智能制造實(shí)現(xiàn)由制造大國(guó)向制造強(qiáng)國(guó)的轉(zhuǎn)換。智能制造(工業(yè)4.0)的實(shí)現(xiàn),以各種信息器件的使用為基礎(chǔ),半導(dǎo)體制造技術(shù)正是其制造的核心技術(shù)。
 
  而氫氣作為半導(dǎo)體制造中的氣源,在半導(dǎo)體材料及器件制備中起到至關(guān)重要的作用。可在光電器件、傳感器、IC制造中應(yīng)用。
 
  目前半導(dǎo)體工藝中氫氣主要用于退火、外延生長(zhǎng)、干法刻蝕等工藝。
 
  退火是通過高溫加熱釋放材料內(nèi)部應(yīng)力從而改善材料質(zhì)量的一種材料處理辦法,氫氣作為保護(hù)氣可以起到防止氧化等作用,多用于薄膜生長(zhǎng)后釋放應(yīng)力。
 
  氫氣也可以應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDepositon)薄膜生長(zhǎng)。化學(xué)氣相沉積是一種利用固態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)、氣態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)生成薄膜的設(shè)備,如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2、WS2等;等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等;電子回旋共振化學(xué)氣相沉積(ECR-CVD)中作為反應(yīng)氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜;金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備中作為載氣制備光電材料GaN、AlGaN等。同時(shí)氫氣也可以在原子層沉積(AtomicLayerDeposition)中使用。
 
  氫氣在等離子體刻蝕(RIE/ICP)中作為反應(yīng)氣體出現(xiàn),等離子體刻蝕原理是利用反應(yīng)氣體離化后與材料發(fā)生反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì),從而實(shí)現(xiàn)材料圖形化,是半導(dǎo)體器件制備的工藝。
 
  CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器目前已大量應(yīng)用在以上工藝中,為半導(dǎo)體材料及器件制備提供好的氣源。
 

 

  CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器技術(shù)參數(shù):
 
  1、氫氣純度:99.9999-99.99999%(外接提純儀)
 
  2、氫氣流量:50L/min
 
  3、輸出壓力:0-1.2MPa
 
  4、壓力穩(wěn)定性:<0.001MPa
 
  5、供電電源:220V±10%50HZ
 
  6、消耗功率:20KW
 
  7、純水需求:>2MΩ&3L/h
 
  8、氫氣容積:<20L
 
  9、環(huán)境溫度:1-40℃
 
  10、相對(duì)濕度:<85%
 
  11、海拔高度:<2000米
 
  12、外形尺寸:220x100x200(WxDxHcm)
 
  13、凈重:約600kg(50L)

  正確操作步驟:
 
  一、準(zhǔn)備工作
 
  檢查設(shè)備:首先,應(yīng)仔細(xì)檢CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器外觀是否完好,電源連接是否正常,并核對(duì)裝箱單上的品名數(shù)量是否齊全。同時(shí),確保儀器“O2”口暢通,加液口蓋子取下以便注液。
 
  環(huán)境準(zhǔn)備:選擇一個(gè)具有良好通風(fēng)性、遠(yuǎn)離熱源、無震動(dòng)、無陽光直射、無粉塵和腐蝕性氣體的場(chǎng)所放置。環(huán)境溫度應(yīng)控制在0℃-40℃,環(huán)境相對(duì)濕度應(yīng)不超過85%。
 
  二、開機(jī)操作
 
  連接電源:將儀器輸出密封帽旋緊,接通電源線,打開電源。此時(shí),應(yīng)觀察儀器流量顯示,當(dāng)顯示為300ml/min時(shí),表示儀器正在自檢。
 
  自檢與準(zhǔn)備:如果流量顯示數(shù)字大于0,請(qǐng)用皂液檢查輸出口,看螺帽是否旋緊。自檢合格后,關(guān)機(jī)并將輸出口螺帽取下。用管路接通用氣設(shè)備(或氣體凈化裝置),再次打開電源,儀器進(jìn)入工作狀態(tài)。
 
  三、使用過程
 
  流量檢查:在使用過程中,應(yīng)注意流量顯示是否與用氣設(shè)備用氣量一致。如流量顯示超出用氣設(shè)備實(shí)際用量較大時(shí),應(yīng)停機(jī)檢漏,檢查連接點(diǎn)或用氣設(shè)備是否有漏氣現(xiàn)象并予以解決。
 
  維護(hù)保養(yǎng):定期檢查過濾器中的硅膠是否變色,如變色請(qǐng)馬上更換或再生。該設(shè)備使用一段時(shí)間后,電解液會(huì)逐漸減少,當(dāng)電解液位接近低位應(yīng)及時(shí)補(bǔ)水,加入二次蒸餾水即可。
 
  四、關(guān)機(jī)操作
 
  使用完畢后,按照正常關(guān)機(jī)程序關(guān)閉CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器,并斷開電源。

TEL:13951716344

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